堇青石Mg₂Al₄Si₅O₁₈
高纯纳米堇青石
采用化学法合成法制备的高纯堇青石陶瓷材料，相较于固相法，具有更加均匀的微观结构。有与低膨胀玻璃相同的零膨胀特性，同时兼具极高的刚度。作为低膨胀玻璃的替代品，它能够满足当前对追求尖端超精细技术这一严苛要求的需要。在需要实现纳米级控制的半导体设备(晶圆曝光、掩模制作、晶圆载具和反应腔衬里)等关键部件的首选材料。龙瓷生产超低热膨胀系数堇青石纳米粉，纯度高、晶相稳定，原晶粒径50~500nm之间，粒度均一性好，性能稳定卓越。
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材料优势
- 化学法高纯度纳米级粉体，杂质含量极低
- 近零热膨胀系数
- 高强度且轻量，比微晶玻璃强度高30%，重量减轻约50%
- 比低热膨胀系数玻璃热传导率高70%
- 精密加工性强，可实现光学级表面
- 卓越的机械性能，更适用于大尺寸薄壁结构部件制造
材料分类
高纯纳米堇青石
HIP高致密堇青石
黑色防静电高纯堇青石
产品概述
高纯纳米堇青石是以MgO-Al₂O₃-SiO₂三元体系为基础，采用化学法合成的纳米级高纯粉体、
精准成分调控制备的高性能低热膨胀陶瓷材料，纯度高、致密度高、微观均匀，专为半导体光刻与量测
、精密光学、航空航天等极端精度场景设计，是替代进口微晶玻璃（Zerodur/ULE）的核心国产化材料。
精准成分调控制备的高性能低热膨胀陶瓷材料，纯度高、致密度高、微观均匀，专为半导体光刻与量测
、精密光学、航空航天等极端精度场景设计，是替代进口微晶玻璃（Zerodur/ULE）的核心国产化材料。
核心优势<br>
- 近零热膨胀：22℃±0.5℃区间可稳定实现0±20 ppb/K，温度波动下尺寸几乎不变。
- 超高刚性与轻量化：弹性模量145–150 GPa，比刚度优于微晶玻璃，高速运动不变形。
- 高致密超洁净：高致密度极低出气率，适配高真空与晶圆接触环境。
- 纳米级面型稳定：可抛光至Ra≤0.05 nm、PV<10 nm，镀膜后反射率与面型保真性优异。
- 100% 国产化可控：粉体 — 烧结 — 精加工全链条自主，交期稳定、成本可控、供应链安全。
主要应用
- 光刻机工件台结构件
- 半导体封装载台
- 封装热压键合设备的精密定位件
- 光刻机EUV/DUV结构件、常规光学件
- 半导体封装热压键合设备的精密定位件、高端热压头基底外、吸嘴
- 高温热键合载台及支架
- 扫描电子显微镜SEM/TEM组件
- 校准平台
- 三坐标仪台架
- 三维坐标测量机孔板
- 高精密定位平台的台架和导轨
概述
极致精度光学级高端材料，以高纯纳米堇青石为基底，经热等静压（HIP）工艺二次改性，
突破常规堇青石与高纯纳米堇青石的性能上限，专为最高精度场景设计。
实现堇青石材料从 常规烧结体向近全致密光学级坯体。
性能优势：
突破常规堇青石与高纯纳米堇青石的性能上限，专为最高精度场景设计。
实现堇青石材料从 常规烧结体向近全致密光学级坯体。
性能优势：
- 致密度极致提升：常规烧结堇青石致密度多为 99.5% 左右，HIP 处理后可稳定达到 ≥99.9%，甚至接近理论密度，
- 彻底消除表层 / 内部纳米气孔，避免抛光形成微凹坑、镀膜产生散射斑点；
- 微观结构均匀化：消除晶粒间残余应力，抑制晶粒异常长大，降低硬度波动，解决常规堇青石抛光
- “选择性磨损、中高周低、边缘塌边” 的问题，为纳米级面型抛光提供稳定基础；
- 面型稳定性强化：HIP 处理后坯体残余应力趋近于零，抛光、镀膜、真空工况下面型漂移大幅降低，满足镀膜后面型漂移 <λ/20 的要求；
- 机械性能优化：致密度提升直接带来抗折强度、抗压强度进一步提高，断裂韧性改善，适配半导体设备高加速度、高振动的极端工况。
主要应用<br>
- 光刻机工件台、光刻机方镜、激光定位基准镜（核心解决面型飘、镀膜斑点问题）；
- 晶圆检测设备量测设备精密载台
- 静电卡盘（ESC）基体、真空吸盘、承片台
- 干涉仪参考块、光栅尺基座（解决长期尺寸漂移）；
- 航空航天高精密光学件（解决极端环境下的结构稳定性）
- 高精度光学反射镜、基准镜、光学支架
- 航天光学系统、稳相结构、低膨胀支撑件
- EUV反射镜和干式方镜
- 激光干涉仪参考镜
- 光栅编码器反射板
- 静电吸盘(ESC)陶瓷嵌入框
- 太空反射镜
产品概述
半导体防静电专用高端材料，在高纯纳米堇青石基础上，新增防静电改性与黑色外观定制，
专为半导体封装、精密电子等需防静电、防反光的场景设计，兼顾高纯堇青石性能与防静电需求。
核心特征
专为半导体封装、精密电子等需防静电、防反光的场景设计，兼顾高纯堇青石性能与防静电需求。
核心特征
- 原料与工艺：采用超高纯原料，结合纳米粉体合成工艺，添加专用防静电掺杂剂（不影响核心性能），经气氛烧结制备，主晶相为单相 α- 堇青石，外观呈均匀黑色，无杂色、无斑点；
- 核心性能：兼具高纯纳米堇青石的核心优势（致密度≥99.8%、近零热膨胀 0±20 ppb/K），同时实现表面电阻率 10⁶-10¹¹ Ω/□（可定制），
- 防静电性能稳定，耐高温、抗腐蚀，不脱落、不失效；
- 核心优势：高纯 + 防静电双达标，黑色外观可有效防反光、减少光学干扰，表面光滑、无颗粒脱落，适配半导体洁净车间环境， 解决常规堇青石无防静电功能、反光干扰的痛点；
主要应用<br>
- 半导体封装热压键合设备的防静电热压头
- 精密防静电定位块
- 防反光光学支撑件
- 晶圆承载部件
| 分类 | 性能指标 | 单位 |
高纯堇青石 |
高致密高透光堇青石（HIP） |
黑色防静电堇青石 |
标准 |
| 性能 | 密度 | g/cm³ | 2.49 | ＞2.51 | 2.51 | JIS R 1634 |
| 颜色 | – | 白色 | 透明 | 黑色 | – | |
| 吸水率 | % | 0 | 0 | 0 | JIS C 2141 | |
| 机械特性 | 维氏硬度HV9.807N | GPa | 8 | 8 | 8 | JIS R 1610 |
| 弯曲强度 | MPa | 191 | ＞200 | ＞200 | JIS R 1601 | |
| 抗压强度 | MPa | 1,800 | 1,800 | 1,800 | JIS R 1608 | |
| 弹性模量 | GPa | 140 | 140 | 145 | JIS R 1602 | |
| 泊松比 | – | 0.31 | 0.31 | 0.31 | ||
| 断裂韧性（SEPB） | MPa·m¹/² | 1–1.5 | 1-1.5 | 1-1.5 | JIS R 1607 | |
| 热特性 | 热膨胀率 | 50℃~300℃(x10⁻3) | 0.23 | 0.23 | 0.23 | JIS R 1618 |
| 50℃~900℃(x10⁻3) | 1.41 | 1.41 | 1.41 | |||
| 线性热膨胀系数 | 50℃~450℃(×10⁻⁶/K) | 0.76 | 0.76 | 0.76 | ||
| 50℃~900℃(×10⁻⁶/K) | 1.12 | 1.12 | 1.12 | |||
| 20℃热导率 | W/(m·K) | 4 | 3-4 | ＞4 | JIS R 1611 | |
| 比热容 | J/(g·K) | 0.71 | 0.71 | 0.71 | ||
| 热震温差 | ℃ | 450 | 450 | 450 | JIS R 1648 | |
| 电特性 | 介电强度 | kV/mm | 19.1 | 19.1 | 19.1 | JIS C 2141 |
| 体积电阻率 | 20℃/Ω·cm | >1014 | >1014 | >1014 | ||
| 300℃/Ω·cm | ＞1012 | ＞1012 | ＞1012 | |||
| 500℃/Ω·cm | ＞1010 | ＞1010 | ＞1010 | |||
| 介电常数（1MHz） | – | 4.9 | 4.9 | 4.9 | ||
| 介电损耗角 （1MHz） | ×10⁻⁴ | 9 | 9 | 9 | ||
| 损耗因子 | ×10⁻⁴ | 30 | 30 | 30 |
应用领域
半导体
光学部件
检测检验
- EUV/DUV光刻机核心结构件
- 晶圆检测组件载台
- 高精度反射器
- 校准平台
- 静电吸盘、电动真空吸盘
- 半导体先进封装载台及部件
- 检测设备高精度结构件
- 防反光光学支撑件
- 光刻机光刻机方镜、激光定位基准镜（核心解决面型飘、镀膜斑点问题）；
- 干涉仪参考块、光栅尺基座（解决长期尺寸漂移）；
- 航空航天高精密光学件（解决极端环境下的结构稳定性）
- 高精度光学反射镜、光学支架
- 航天光学系统、稳相结构、低膨胀支撑件
- EUV反射镜和干式方镜
- 激光干涉仪参考镜
- 扫描电子显微镜SEM/TEM
- 校准平台
- 三坐标仪台架
- 三维坐标测量机孔板
